Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
5.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
25V
Package Type
SOT-223
Series
STN6N60M2
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
1.25Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
6W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
1.8mm
Length
6.8mm
Standards/Approvals
No
Width
6.48mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics zařízení je N-kanálový výkonový MOSFET vyvinutý pomocí technologie MDmesh M2. Díky svému uspořádání pásů a vylepšené vertikální konstrukci vykazuje zařízení nízkou odolnost a optimalizované spínací vlastnosti, takže je vhodné pro nejnáročnější měniče s vysokou účinností.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 198.850
RSD 49,712 komad (u Reel od 4000) (bez PDV-a)
RSD 238.620
RSD 59,654 komad (u Reel od 4000) (s PDV-om)
4000
RSD 198.850
RSD 49,712 komad (u Reel od 4000) (bez PDV-a)
RSD 238.620
RSD 59,654 komad (u Reel od 4000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
4000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
5.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
25V
Package Type
SOT-223
Series
STN6N60M2
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
1.25Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
6W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
1.8mm
Length
6.8mm
Standards/Approvals
No
Width
6.48mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics zařízení je N-kanálový výkonový MOSFET vyvinutý pomocí technologie MDmesh M2. Díky svému uspořádání pásů a vylepšené vertikální konstrukci vykazuje zařízení nízkou odolnost a optimalizované spínací vlastnosti, takže je vhodné pro nejnáročnější měniče s vysokou účinností.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
