Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
100A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-220
Series
STripFET F7
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
5.6mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12.6nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 1.625
RSD 162,475 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 1.950
RSD 194,97 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (cev)
10
RSD 1.625
RSD 162,475 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 1.950
RSD 194,97 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (cev)
10
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
100A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-220
Series
STripFET F7
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
5.6mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12.6nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
