Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Series
STripFET F7
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Power Dissipation Pd
158W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
55nC
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 16.672
RSD 333,438 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 20.006
RSD 400,126 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (cev)
50
RSD 16.672
RSD 333,438 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 20.006
RSD 400,126 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (cev)
50
| količina | Jedinična cena | Po cev |
|---|---|---|
| 50 - 120 | RSD 333,438 | RSD 1.667 |
| 125+ | RSD 284,938 | RSD 1.425 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Series
STripFET F7
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Power Dissipation Pd
158W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
55nC
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.