Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4.2mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
127nC
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics N-kanálový výkonový MOSFET využívá technologii STripFET F7 s vylepšenou strukturou příkopu brány, která má za následek velmi nízkou on-state odpor, a zároveň snižuje vnitřní kapacitu a nabíjení brány pro rychlejší a efektivnější přepínání.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 21.098
RSD 421,95 komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
RSD 25.317
RSD 506,34 komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)
50
RSD 21.098
RSD 421,95 komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
RSD 25.317
RSD 506,34 komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
50
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4.2mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
127nC
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics N-kanálový výkonový MOSFET využívá technologii STripFET F7 s vylepšenou strukturou příkopu brány, která má za následek velmi nízkou on-state odpor, a zároveň snižuje vnitřní kapacitu a nabíjení brány pro rychlejší a efektivnější přepínání.