Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4.2mΩ
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
127nC
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics N-kanálový výkonový MOSFET využívá technologii STripFET F7 s vylepšenou strukturou příkopu brány, která má za následek velmi nízkou on-state odpor, a zároveň snižuje vnitřní kapacitu a nabíjení brány pro rychlejší a efektivnější přepínání.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 10.670
RSD 533,50 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 12.804
RSD 640,20 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (cev)
20
RSD 10.670
RSD 533,50 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 12.804
RSD 640,20 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (cev)
20
| količina | Jedinična cena | Po cev |
|---|---|---|
| 20 - 98 | RSD 533,50 | RSD 1.067 |
| 100 - 198 | RSD 497,125 | RSD 994 |
| 200+ | RSD 442,562 | RSD 885 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4.2mΩ
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
127nC
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics N-kanálový výkonový MOSFET využívá technologii STripFET F7 s vylepšenou strukturou příkopu brány, která má za následek velmi nízkou on-state odpor, a zároveň snižuje vnitřní kapacitu a nabíjení brány pro rychlejší a efektivnější přepínání.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
