Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
35A
Maximum Drain Source Voltage Vds
710V
Package Type
TO-220
Series
MDmesh M5
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
78mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
210W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
82nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-25, +25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
15.75mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh M5 jsou optimalizovány pro vysoce výkonné topologie PFC a PWM. Mezi hlavní funkce patří nízké ztráty na silikonové ploše v kombinaci s nízkým nabíjením zadní výklopné stěny. Jsou navrženy pro energeticky úsporné, kompaktní a spolehlivé aplikace pro náročné přepínání, jako jsou solární napájecí měniče, napájecí zdroje pro spotřební výrobky a elektronické ovládání osvětlení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 4.456
RSD 891,188 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 5.347
RSD 1.069,426 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
Standard
5
RSD 4.456
RSD 891,188 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 5.347
RSD 1.069,426 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
5
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RSD 891,188 | RSD 4.456 |
| 50 - 120 | RSD 857,238 | RSD 4.286 |
| 125+ | RSD 846,325 | RSD 4.232 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
35A
Maximum Drain Source Voltage Vds
710V
Package Type
TO-220
Series
MDmesh M5
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
78mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
210W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
82nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-25, +25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
15.75mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh M5 jsou optimalizovány pro vysoce výkonné topologie PFC a PWM. Mezi hlavní funkce patří nízké ztráty na silikonové ploše v kombinaci s nízkým nabíjením zadní výklopné stěny. Jsou navrženy pro energeticky úsporné, kompaktní a spolehlivé aplikace pro náročné přepínání, jako jsou solární napájecí měniče, napájecí zdroje pro spotřební výrobky a elektronické ovládání osvětlení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
