Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Schottky Diode
Mount Type
Through Hole
Package Type
TO-220
Maximum Continuous Forward Current If
20A
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm
650V
Diode Configuration
Silicon Carbide Schottky Diode
Series
STPSC
Rectifier Type
SiC Schottky
Pin Count
2
Peak Reverse Current Ir
800μA
Maximum Forward Voltage Vf
1.3V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm
850A
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.75mm
Height
4.6mm
Width
10.4mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Dioda SiC společnosti STMicroelectronics je vysoce výkonný výkonový Schottkyho usměrňovač. Je vyroben s použitím substrátu z karbidu křemíku. Materiál široké mezery v pásmu umožňuje konstrukci schottkyho diody s nízkou frekvencí VF s jmenovitým napětím 650 V. Díky Schottkyho konstrukci se při vypnutí nevykazuje žádné zotavení a zvonění je zanedbatelné. Minimální kapacitní chování při vypnutí je nezávislé na teplotě.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 589
RSD 589 Each (bez PDV-a)
RSD 707
RSD 707 Each (s PDV-om)
1
RSD 589
RSD 589 Each (bez PDV-a)
RSD 707
RSD 707 Each (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Schottky Diode
Mount Type
Through Hole
Package Type
TO-220
Maximum Continuous Forward Current If
20A
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm
650V
Diode Configuration
Silicon Carbide Schottky Diode
Series
STPSC
Rectifier Type
SiC Schottky
Pin Count
2
Peak Reverse Current Ir
800μA
Maximum Forward Voltage Vf
1.3V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm
850A
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.75mm
Height
4.6mm
Width
10.4mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Dioda SiC společnosti STMicroelectronics je vysoce výkonný výkonový Schottkyho usměrňovač. Je vyroben s použitím substrátu z karbidu křemíku. Materiál široké mezery v pásmu umožňuje konstrukci schottkyho diody s nízkou frekvencí VF s jmenovitým napětím 650 V. Díky Schottkyho konstrukci se při vypnutí nevykazuje žádné zotavení a zvonění je zanedbatelné. Minimální kapacitní chování při vypnutí je nezávislé na teplotě.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
