Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Diode
Mount Type
Surface
Package Type
TO-263
Maximum Continuous Forward Current If
4A
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm
650V
Diode Configuration
Single
Series
STPSC
Pin Count
2
Peak Reverse Current Ir
35μA
Maximum Forward Voltage Vf
2.25V
Minimum Operating Temperature
-40°C
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm
200A
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
28.25mm
Height
4.5mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Dioda STMicroelectronics 650V s vysokým rázovým proudem z karbidu křemíku schottky má jmenovitý proud 4 A. Jedná se o vysoce výkonnou schottkyho diodu. Zařízení je vyrobeno s využitím podložky z karbidu křemíku. Vysoká odolnost proti propustným nárazovým proudům zajišťuje dobrou robustnost během přechodových fází Tato dioda SIC zvyšuje výkon v podmínkách s tvrdým spínáním.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 475.906
RSD 190,362 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 571.088
RSD 228,434 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
2500
RSD 475.906
RSD 190,362 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 571.088
RSD 228,434 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
2500
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Diode
Mount Type
Surface
Package Type
TO-263
Maximum Continuous Forward Current If
4A
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm
650V
Diode Configuration
Single
Series
STPSC
Pin Count
2
Peak Reverse Current Ir
35μA
Maximum Forward Voltage Vf
2.25V
Minimum Operating Temperature
-40°C
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm
200A
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
28.25mm
Height
4.5mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Dioda STMicroelectronics 650V s vysokým rázovým proudem z karbidu křemíku schottky má jmenovitý proud 4 A. Jedná se o vysoce výkonnou schottkyho diodu. Zařízení je vyrobeno s využitím podložky z karbidu křemíku. Vysoká odolnost proti propustným nárazovým proudům zajišťuje dobrou robustnost během přechodových fází Tato dioda SIC zvyšuje výkon v podmínkách s tvrdým spínáním.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
