Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Diode
Mount Type
Surface
Package Type
PowerFLAT
Maximum Continuous Forward Current If
8A
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm
650V
Diode Configuration
Single
Series
STPSC
Pin Count
5
Peak Reverse Current Ir
65μA
Maximum Forward Voltage Vf
1.95V
Minimum Operating Temperature
-40°C
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm
800A
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
7.9mm
Height
0.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Dioda STMicroelectronics 650V Power schottky ze karbidu křemíku má jmenovitý proud 8A. Jedná se o vysoce výkonnou schottkyho diodu. Zařízení je vyrobeno s využitím podložky z karbidu křemíku. Umožňuje nízké stejnosměrné napětí spojené s vysokým rázovým potenciálem v prostředí s nízkým prostorem, jako jsou telekomunikace a sítě, průmyslová nebo obnovitelná energetická doména.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 1.116.712
RSD 372,238 komad (u Reel od 3000) (bez PDV-a)
RSD 1.340.055
RSD 446,686 komad (u Reel od 3000) (s PDV-om)
3000
RSD 1.116.712
RSD 372,238 komad (u Reel od 3000) (bez PDV-a)
RSD 1.340.055
RSD 446,686 komad (u Reel od 3000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
3000
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Diode
Mount Type
Surface
Package Type
PowerFLAT
Maximum Continuous Forward Current If
8A
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm
650V
Diode Configuration
Single
Series
STPSC
Pin Count
5
Peak Reverse Current Ir
65μA
Maximum Forward Voltage Vf
1.95V
Minimum Operating Temperature
-40°C
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm
800A
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
7.9mm
Height
0.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Dioda STMicroelectronics 650V Power schottky ze karbidu křemíku má jmenovitý proud 8A. Jedná se o vysoce výkonnou schottkyho diodu. Zařízení je vyrobeno s využitím podložky z karbidu křemíku. Umožňuje nízké stejnosměrné napětí spojené s vysokým rázovým potenciálem v prostředí s nízkým prostorem, jako jsou telekomunikace a sítě, průmyslová nebo obnovitelná energetická doména.