Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
7.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
SO-8
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
21mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
25nC
Maximum Power Dissipation Pd
2.5W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
5mm
Height
1.65mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tento výkonný MOSFET představuje nejnovější vývoj technologie STMicroelectronic, což je jedinečný proces založený na proužcích "Single Feature Size™". Výsledný tranzistor vykazuje extrémně vysokou hustotu plnění při nízké odolnosti, robustních vlastnostech laviny a méně důležitých krocích vyrovnání, a proto představuje pozoruhodnou výrobní reprodukovatelnost.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 209.156
RSD 83,662 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 250.988
RSD 100,394 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
2500
RSD 209.156
RSD 83,662 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 250.988
RSD 100,394 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
2500
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
7.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
SO-8
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
21mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
25nC
Maximum Power Dissipation Pd
2.5W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
5mm
Height
1.65mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tento výkonný MOSFET představuje nejnovější vývoj technologie STMicroelectronic, což je jedinečný proces založený na proužcích "Single Feature Size™". Výsledný tranzistor vykazuje extrémně vysokou hustotu plnění při nízké odolnosti, robustních vlastnostech laviny a méně důležitých krocích vyrovnání, a proto představuje pozoruhodnou výrobní reprodukovatelnost.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
