STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 9 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW10NK80Z
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Package Type
TO-247
Series
MDmesh, SuperMESH
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 10 V
Height
20.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 7,44
€ 7,44 Each (bez PDV-a)
€ 8,70
€ 8,70 Each (s PDV-om)
Standard
1
€ 7,44
€ 7,44 Each (bez PDV-a)
€ 8,70
€ 8,70 Each (s PDV-om)
Standard
1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
| količina | Jedinična cijena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 7,44 |
| 10 - 24 | € 6,83 |
| 25 - 99 | € 6,71 |
| 100 - 499 | € 5,57 |
| 500+ | € 5,15 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Package Type
TO-247
Series
MDmesh, SuperMESH
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 10 V
Height
20.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda