Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
22A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-247
Series
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
160mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
190W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
39nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
20.15mm
Length
15.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 1.351
RSD 675,362 komadno (u pakovanju od 2) (bez PDV-a)
RSD 1.621
RSD 810,434 komadno (u pakovanju od 2) (s PDV-om)
Standard
2
RSD 1.351
RSD 675,362 komadno (u pakovanju od 2) (bez PDV-a)
RSD 1.621
RSD 810,434 komadno (u pakovanju od 2) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
2
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RSD 675,362 | RSD 1.351 |
| 20 - 98 | RSD 557,75 | RSD 1.116 |
| 100 - 198 | RSD 442,562 | RSD 885 |
| 200+ | RSD 408,612 | RSD 817 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
22A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-247
Series
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
160mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
190W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
39nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
20.15mm
Length
15.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.