Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
33A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-247
Series
DM6
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
91mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
52.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.75mm
Height
20.15mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Vysokonapěťový N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET STMicroelectronics je součástí řady diod pro rychlou regeneraci MDmesh DM6. Ve srovnání s předchozí generací technologie MDmesh FAST kombinuje technologie DM6 velmi nízký poplatek za obnovu (Qrr), dobu obnovení (trr) a vynikající zlepšení RDS(on) na plochu s jedním z nejefektivnějších způsobů přepínání dostupných na trhu pro nejnáročnější vysoce účinné topologie můstků a měniče fáze ZVS.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 27.863
RSD 928,775 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)
RSD 33.436
RSD 1.114,53 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)
30
RSD 27.863
RSD 928,775 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)
RSD 33.436
RSD 1.114,53 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
30
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
33A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-247
Series
DM6
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
91mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
52.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.75mm
Height
20.15mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Vysokonapěťový N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET STMicroelectronics je součástí řady diod pro rychlou regeneraci MDmesh DM6. Ve srovnání s předchozí generací technologie MDmesh FAST kombinuje technologie DM6 velmi nízký poplatek za obnovu (Qrr), dobu obnovení (trr) a vynikající zlepšení RDS(on) na plochu s jedním z nejefektivnějších způsobů přepínání dostupných na trhu pro nejnáročnější vysoce účinné topologie můstků a měniče fáze ZVS.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
