Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
55A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Package Type
TO-247
Series
STW
Mount Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
118nC
Maximum Power Dissipation Pd
480W
Forward Voltage Vf
1.5V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
UL
Length
40.92mm
Height
5.1mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
Vysokonapěťový N-kanálový výkonový MOSFET STMicroelectronics je součástí řady diod pro rychlou obnovu MDmesh DM6 ve srovnání s předchozí generací rychlé obnovy MDmesh kombinuje DM6 velmi nízké nabití (Qrr), Doba obnovy (trr) a vynikající zlepšení RDS (ON) na plochu s jedním z nejúčinnějších přepínání chování na trhu pro nejnáročnější high-efficiency bridge topologies a ZVS fáze-Shift převodníky.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 37.648
RSD 1.254,938 Each (In a Tray of 30) (bez PDV-a)
RSD 45.178
RSD 1.505,926 Each (In a Tray of 30) (s PDV-om)
30
RSD 37.648
RSD 1.254,938 Each (In a Tray of 30) (bez PDV-a)
RSD 45.178
RSD 1.505,926 Each (In a Tray of 30) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
30
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
55A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Package Type
TO-247
Series
STW
Mount Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
118nC
Maximum Power Dissipation Pd
480W
Forward Voltage Vf
1.5V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
UL
Length
40.92mm
Height
5.1mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
Vysokonapěťový N-kanálový výkonový MOSFET STMicroelectronics je součástí řady diod pro rychlou obnovu MDmesh DM6 ve srovnání s předchozí generací rychlé obnovy MDmesh kombinuje DM6 velmi nízké nabití (Qrr), Doba obnovy (trr) a vynikající zlepšení RDS (ON) na plochu s jedním z nejúčinnějších přepínání chování na trhu pro nejnáročnější high-efficiency bridge topologies a ZVS fáze-Shift převodníky.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
