Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
55A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Series
STW
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Power Dissipation Pd
320W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
52.6nC
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
UL
Width
15.8mm
Height
5.1mm
Length
40.92mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
Vysokonapěťový N-kanálový výkonový MOSFET STMicroelectronics je součástí řady diod pro rychlou obnovu MDmesh DM6 ve srovnání s předchozí generací rychlé obnovy MDmesh kombinuje DM6 velmi nízké nabití (Qrr), Doba obnovy (trr) a vynikající zlepšení RDS (ON) na plochu s jedním z nejúčinnějších přepínání chování na trhu pro nejnáročnější high-efficiency bridge topologies a ZVS fáze-Shift převodníky.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 824
RSD 824 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 989
RSD 989 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (cev)
1
RSD 824
RSD 824 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 989
RSD 989 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (cev)
1
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
55A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Series
STW
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Power Dissipation Pd
320W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
52.6nC
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
UL
Width
15.8mm
Height
5.1mm
Length
40.92mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
Vysokonapěťový N-kanálový výkonový MOSFET STMicroelectronics je součástí řady diod pro rychlou obnovu MDmesh DM6 ve srovnání s předchozí generací rychlé obnovy MDmesh kombinuje DM6 velmi nízké nabití (Qrr), Doba obnovy (trr) a vynikající zlepšení RDS (ON) na plochu s jedním z nejúčinnějších přepínání chování na trhu pro nejnáročnější high-efficiency bridge topologies a ZVS fáze-Shift převodníky.