Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Operational Amplifier
Mount Type
Surface
Package Type
SO
Number of Channels
2
Pin Count
8
GBP - Gain Bandwidth Product
4MHz
Maximum Supply Voltage
36V
Minimum Supply Voltage
6V
Slew Rate
16V/μs
Input Bias Current
20 nA
Minimum Operating Temperature
-40°C
Vos - Input Offset Voltage
5 mV
Maximum Operating Temperature
105°C
Standards/Approvals
RoHS
Series
TL082
Height
1.5mm
Length
5mm
Automotive Standard
AEC-Q100
Output Current
60mA
Input Offset Current
4 nA
Detalji o proizvodu
TL082, TL082A a TL082B jsou vysokorychlostní duální provozní zesilovače JFET pracující s dobře spárovanými vysokonapěťovými JFET a bipolárním tranzistorem v monolitickém integrovaném obvodu. Zařízení jsou vybavena vysokými dávkami podtlaku, nízkým vstupním proudovým zkreslením a ofsetovým proudem a teplotním součinitelem nízkého ofsetového napětí.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 118.219
RSD 47,288 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 141.862
RSD 56,746 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
2500
RSD 118.219
RSD 47,288 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 141.862
RSD 56,746 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
2500
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Operational Amplifier
Mount Type
Surface
Package Type
SO
Number of Channels
2
Pin Count
8
GBP - Gain Bandwidth Product
4MHz
Maximum Supply Voltage
36V
Minimum Supply Voltage
6V
Slew Rate
16V/μs
Input Bias Current
20 nA
Minimum Operating Temperature
-40°C
Vos - Input Offset Voltage
5 mV
Maximum Operating Temperature
105°C
Standards/Approvals
RoHS
Series
TL082
Height
1.5mm
Length
5mm
Automotive Standard
AEC-Q100
Output Current
60mA
Input Offset Current
4 nA
Detalji o proizvodu
TL082, TL082A a TL082B jsou vysokorychlostní duální provozní zesilovače JFET pracující s dobře spárovanými vysokonapěťovými JFET a bipolárním tranzistorem v monolitickém integrovaném obvodu. Zařízení jsou vybavena vysokými dávkami podtlaku, nízkým vstupním proudovým zkreslením a ofsetovým proudem a teplotním součinitelem nízkého ofsetového napětí.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
