
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Operational Amplifier
Mount Type
Surface
Package Type
SO
Number of Channels
2
Pin Count
8
GBP - Gain Bandwidth Product
4MHz
Minimum Supply Voltage
6V
Maximum Supply Voltage
36V
Input Bias Current
20 nA
Minimum Operating Temperature
-40°C
Vos - Input Offset Voltage
5 mV
Slew Rate
16V/μs
Maximum Operating Temperature
105°C
Height
1.5mm
Length
5mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
4mm
Series
TL082
Output Current
60mA
Automotive Standard
AEC-Q100
Input Offset Current
4 nA
Detalji o proizvodu
TL082, TL082A a TL082B jsou vysokorychlostní duální provozní zesilovače JFET pracující s dobře spárovanými vysokonapěťovými JFET a bipolárním tranzistorem v monolitickém integrovaném obvodu. Zařízení jsou vybavena vysokými dávkami podtlaku, nízkým vstupním proudovým zkreslením a ofsetovým proudem a teplotním součinitelem nízkého ofsetového napětí.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 106.094
RSD 42,438 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 127.312
RSD 50,926 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
2500
RSD 106.094
RSD 42,438 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 127.312
RSD 50,926 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
2500
| količina | Jedinična cena | Po kolut |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RSD 42,438 | RSD 106.094 |
| 5000+ | RSD 41,225 | RSD 103.062 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Operational Amplifier
Mount Type
Surface
Package Type
SO
Number of Channels
2
Pin Count
8
GBP - Gain Bandwidth Product
4MHz
Minimum Supply Voltage
6V
Maximum Supply Voltage
36V
Input Bias Current
20 nA
Minimum Operating Temperature
-40°C
Vos - Input Offset Voltage
5 mV
Slew Rate
16V/μs
Maximum Operating Temperature
105°C
Height
1.5mm
Length
5mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
4mm
Series
TL082
Output Current
60mA
Automotive Standard
AEC-Q100
Input Offset Current
4 nA
Detalji o proizvodu
TL082, TL082A a TL082B jsou vysokorychlostní duální provozní zesilovače JFET pracující s dobře spárovanými vysokonapěťovými JFET a bipolárním tranzistorem v monolitickém integrovaném obvodu. Zařízení jsou vybavena vysokými dávkami podtlaku, nízkým vstupním proudovým zkreslením a ofsetovým proudem a teplotním součinitelem nízkého ofsetového napětí.